Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / MG1275H-XN2MM
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация 3-Phase Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 348 W
Упаковка / блок Package H
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
