BSM50GX120DN2

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация 3-Phase

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A

Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA

Pd - рассеивание мощности 400 W

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray