Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / 6MS24017E33W32859NOSA1
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 25 C
Максимальная рабочая температура + 55 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару