FP10R12W1T7B11BOMA1

Технология IGBT7-T7

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация PIM

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Упаковка / блок AG-EASY1B-2

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray