Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / F3L150R07W2E3_B11
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 150A
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 335 W
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
