APTGL475U120DAG

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 610 A

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 2.307 kW

Упаковка / блок SP6

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube