Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description:
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
