FS800R07A2E3B32BOSA1

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 800 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 1.5 kW

Упаковка / блок HybirdPack2

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray