FF300R12ME4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A

Ток утечки затвор-эмиттер 0.4 uA

Pd - рассеивание мощности 1.6 kW

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос