FS50R12W2T4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация IGBT-Inverter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 83 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 335 W

Упаковка / блок Module

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос