FS75R07N2E4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация IGBT-Inverter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 250 W

Упаковка / блок Module

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос