Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FF300R12KT4PHOSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок 62 mm
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
