Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGFQ25H120T2G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Pd - рассеивание мощности 227 W
Упаковка / блок SP2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 100 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
