Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / F3L25R12W1T4B27BOMA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация 3-Phase
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 215 W
Упаковка / блок EasyPack1B
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
