APTGT150A120T3AG

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 220 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 833 W

Упаковка / блок SP3-32

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube