Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / MID550-12A4
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 670 A
Ток утечки затвор-эмиттер 1.6 uA
Pd - рассеивание мощности 2.75 kW
Упаковка / блок Y3-DCB-10
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
