Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / DF150R12RT4
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 790 W
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
