Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IXYN80N90C3H1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 115 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок SOT-227
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
