Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / DF400R12KE3
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 580 A
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок 62 mm
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару