IFCM30U65GDXKMA1

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES

Характеристики

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация 3-Phase

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A

Ток утечки затвор-эмиттер 1 mA

Pd - рассеивание мощности 60.4 W

Упаковка / блок MDIP-24

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос