NXH160T120L2Q2F2SG

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Split-T

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V, 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.47 V, 2.15 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A, 160 A

Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA, 500 nA

Pd - рассеивание мощности 500 W

Упаковка / блок Q2PACK

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray