FF1800R17IP5

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1800 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 8.95 kW

Упаковка / блок PRIME3

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray