FF100R12RT4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Неизвестно

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 555 W

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос