Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGT75DH120T3G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3046
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 110 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 357 W
Упаковка / блок SP3-32
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 100 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
