IXA70I1200NA

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A

Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA

Pd - рассеивание мощности 350 W

Упаковка / блок SOT-227B-4

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос