FF75R12RT4

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 395 W

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray