A2C25S12M3

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Converter Inverter Brake

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A

Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA

Pd - рассеивание мощности 197 W

Упаковка / блок ACEPACK2

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Неизвестно