Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FP35R12U1T4
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация PIM 3-Phase Input Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 250 W
Упаковка / блок SmartPIM1
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
