Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / VS-GT100TP60N
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт Неизвестно
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 417 W
Упаковка / блок INT-A-PAK
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
