Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IFCM30T65GDXKMA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация 2-Phase
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 1 mA
Pd - рассеивание мощности 60.4 W
Упаковка / блок MDIP-24
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 100 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару