IFF600B12ME4PB11BPSA1

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 20 mW

Упаковка / блок 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray