Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FPF2G120BF07ASP
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Triple
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер 2 uA
Pd - рассеивание мощности 156 W
Упаковка / блок F2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
