APT80GP60J

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 151 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 462 W

Упаковка / блок ISOTOP-4

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос