APTGT400A120D3G

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 580 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 2.1 kW

Упаковка / блок D3-11

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос