Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / MG06100S-BN4MM
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A Dual
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 125 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 330 W
Упаковка / блок Package S
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
