APTGLQ75H65T1G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Full Bridge

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A

Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA

Pd - рассеивание мощности 250 W

Упаковка / блок SP1-12

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube