APT50GLQ65JU2

Технология -

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A

Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA

Pd - рассеивание мощности 220 W

Упаковка / блок SOT-227-4

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube