Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / STGIPQ5C60T-HZS
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Характеристики
Технология SiC
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5 A
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности 13.6 W
Упаковка / блок N2DIP-26L
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
