FD800R33KF2C

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 9.6 kW

Упаковка / блок IHM190

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray