APTLGL325A1208G

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 420 A

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 1.5 kW

Упаковка / блок LP8

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос