NXH80T120L2Q0S1G

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE

Характеристики

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация T-Type

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V, 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V, 2.05 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 49 A, 67 A

Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA, 300 nA

Pd - рассеивание мощности 158 W

Упаковка / блок Q0PACK

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос