Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IXXN110N65C4H1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.98 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 210 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 750 W
Упаковка / блок SOT-227B-4
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
