Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / VS-ETF075Y60U
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level Inverter
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 109 A
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA, 400 nA
Pd - рассеивание мощности 294 W
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
