Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / VS-GB200TH120U
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт Неизвестно
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 330 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 1.316 kW
Упаковка / блок INT-A-PAK
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
