IFCM20T65GDXKMA1

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация 2-Phase

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A

Ток утечки затвор-эмиттер 1 mA

Pd - рассеивание мощности 52.3 W

Упаковка / блок MDIP-24

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube