APTGLQ400A120T6G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 625 A

Ток утечки затвор-эмиттер 680 nA

Pd - рассеивание мощности 1.9 kW

Упаковка / блок SP6

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube