Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FF450R33T3E3BPSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability!
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок AG-XHP100-3
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
