FS50R07W1E3B11ABOMA1

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 205 W

Упаковка / блок EasyPack1B

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray