6MS30017E43W34404NOSA1

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Неизвестно

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно

Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 25 C

Максимальная рабочая температура + 55 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray