Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / F3L50R06W1E3_B11
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50A
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 175 W
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
